李志坚

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人物经历

教育经历

工作经历

清华大学教授。50年代初，在半导体薄膜光电导和光电机理研究中，提出电子晶粒间界理论，在此基础上研制成高信噪比PbS红外探测器。

1959年研制成高超纯多晶硅。60年代从事硅器件研究，其中平面硅工艺及高反压硅高频三极管成果，促进了国内有关的研究和生产。

1977年以后主要从事大规模、超大规模集成技术及器件物理的研究，领导、指导和直接参与了多种静态存储器，8位、16位高速微处理器、EEPROM和1兆位汉字ROM等超大规模集成电路芯片的研制工作，并取得成功。同时开发出3微米和1微米成套工艺技术。指导并发明半导体红外高速退火技术和设备。近期的研究包括：系统芯片集成和微电子机械技术。

1991当选为中国科学院院士（学部委员）。

主要成就

科研成就

科研综述

50年代初，在半导体薄膜光电导和光电机理研究中，提出电子晶粒间界理论，在此基础上研制成高信噪比PbS红外探测器。

1958年提倡中国半导体发展应以硅技术为主的思想(当时国际上半导体器件的主流是锗晶体管)。1958年研制出超纯多晶硅，1960年研制出硅合金晶体管，1962-1963年又研制成功硅平面工艺和高反压(150V)硅平面晶体管。这些工作对中国半导体器件的早期发展有重要的推动作用。

1980年代在Si/Si02界面研究方面发表一系列论文，在国内外有相当影响。《MOS界面研究新技术》一文被选参加中美表面科学学术讨论会(美国科学院与中国科协主办)，被特邀参加INFOS'91(该领域国际上最著名学术会议)和聘为国际顾问委员会委员，国内被邀编写专论。以上部分成果曾获国家教委科技进步奖二等奖。对Si/Si02界面电子隧道穿透进行了深入研究，研制成功2kEEPROM存贮器，获1988年国家教委科技进步奖二等奖。

1996年国家安排IC卡研制，因EEPROM是其基本技术，清华大学得以在5个月内研制出全国第一块IC卡，显示了他在技术上的远见卓识。

1980年代初即看到快速(瞬态)热处理(通常为长时期的“稳态”热处理)技术对深亚微米集成电路发展的重要意义，而后又发现当时通用的激光退火方法的局限性，从而与钱佩信一起发明了“半导体快速热处理技术和设备”，取得中、美两国专利，并获得1990年国家发明奖二等奖。该成果已在国内推广，该设备是一台国内当前唯一不要进口的VLSI 先进工艺设备，已推向国外市场。

“六五”到“八五”3个五年计划期间，负责多项微电子技术和集成电路国家重点攻关任务。3次获得国家教委和电子部科技进步奖一等奖；“3微米LSI成套工艺技术和集成电路研究”获1987年国家科技进步奖二等奖；“1-1.5微米VLSI CMOS工艺及1兆位汉字库ROM”获1995年国家科技进步奖二等奖。

1990年代开始他主持国家重大基金项目“系统集成技术研究”。这是当前微电子前沿课题，他们发表的一系列论文已受到国际注视。他本人的工作，尤其在“微机械电子系统”方面有不少发明创造，包括国内首先研制成功的“带有转速自检测机能的微静电马达”等一批工作，使中国进入这一领域先进行列。他在这方面已在国内外主要刊物发表论文近30篇，申请多项美国发明专利，获准的已有5项。

他培养的大批优秀微电子人才中，有2名已当选为中国科学院院士。他亲自培养出的博士生，已有26名。

主要学术论文、著作目录

1. MOS大规模集成技术进展.见:MOS大规模集成技术(上册).北京:科学出版社,1984.

2. 硅耗尽层少于产生率的强电场效应.半导体学报,1985,6(1):1.

3. 硅耗尽层准二维系统室温电子隧道能谱.半导体学报,1985,6(3):236.

4. MOS界面电荷瞬态谱方法.半导体学报,1985,6(5):458.

5. MOS技术中的Si-Si02介面物理.见:半导体器件研究与发展.北京:科学出版社,1988.

6. 一种新的MOS电流型逻辑电路.电子学报,1988,10(2),51.

7. VLSI成品率统计中的缺陷成因效应及统计参数与面积的关系.半导体学报,1988,9(3):245.(合作者:张钟宣).

8. 一种新的有沟道注入的短沟MOSFET的调电压解析模型电子学报,1990,18(11):9.(合作者:陈文同).

9. A novel pressure sensor structure for integrated sensor Sensots and Actuatore. 1990, (A21-23):62.(with Wang Yuelin,Liu Litian)

10. Defect free silicon film on silion dioxide formed by some melting recrystallization with high apeed, IEEE Trane, on Electron Devices.1990,ED37:952.(with Liu Lianjun, Qian Peixin).

11. 90年代的微电子技术.中国科学院院报,1991(1):23.

12. 一种基于浮栅NMOS晶体管的可编程神经网络芯的设计和应用.电子学报,1992,20(10):48.

13. 滑雪崩应力下热电子注入引起的MOSFET退变特性研究.半导体学报,1993,14,12:723.(合作者:程玉华、要瑞伟).

14. The on-ehip detection of micromotor rotational speed.Sensors and Actuators,1995,A48:81.(with Sun Xiqing,Liu Litian).

15. 一种对称高分辨精度的多端电流MAX门和MIN门电路.半导体学报,1995,16,6:453.(合作者:李斌桥、石秉学).

16. New methods for measuring mechanical properties of thin films in micro-machining, beam pull-in voltage (VPI)method and long beam deflection (LBD)method.Sensors and Actuators,1995,A48:137.(with Li Binqiao,shi Bingxue).

17. BMHMT----Bi-MOS混合模式晶体管.电子学报,1995,23,11:11.(合作者:陈萍、刘理天).

18. 一种模拟集成电路Hamming神经网络及其应用.半导体学报,1996,17(3):217.(合作者:李斌桥、石秉学).

19. Design and fabrication of single wafer silicon condensor microphone using corrugated diaphragm.IEEE J.of MEMS,1996:5(3).(with Zou Quanbo,Liu Litian).

学术论著

主编出版了《半导体材料硅》《MOS大规模集成技术》《微电子技术中的MOS物理》等书，在国内外发表了论文200余篇。

获得荣誉

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